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Datasheet下载- 型号： STL24N60M2
- 制造商： STMicroelectronics
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STL24N60M2产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STL24N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL24N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTL24N60M2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 600V 18A（Tc） 125W（Tc） PowerFlat™（8x8） HV。您可以下载STL24N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STL24N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STL24N60M2是一款N沟道增强型功率MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）： STL24N60M2适用于各种开关电源设计，例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（600V）使其能够在高压环境下高效工作，减少能量损耗。 2. 电机驱动： 该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）。在电机控制应用中，它能够实现高效的PWM调制和快速开关操作。 3. 逆变器： STL24N60M2适合用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和其他需要高频开关的逆变器系统。其高耐压能力确保了在高压输入下的稳定运行。 4. 负载切换： 在汽车电子和工业控制领域，这款MOSFET可以作为负载开关使用，用于控制大电流负载的通断，同时保持较低的功率损耗。 5. PFC电路（功率因数校正）： 它可用于Boost PFC拓扑结构中，帮助提高系统的功率因数并优化能源效率。 6. 电动汽车与混合动力汽车： STL24N60M2可用于电动车的电池管理系统（BMS）、充电电路以及辅助设备的电源管理。 7. 家电产品： 在家用电器中，如空调、洗衣机、冰箱等，该MOSFET可用于压缩机驱动、风扇控制以及其他需要高效功率转换的场景。 总结来说，STL24N60M2凭借其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于需要高压、大电流及高效功率转换的各种工业、消费类和汽车电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 18A POWERFLATMOSFET N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL24N60M2MDmesh™ II Plus |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STL24N60M2 |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| Qg-GateCharge | 29 nC |
| Qg-栅极电荷 | 29 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 186 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 186 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1060pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 210 欧姆 @ 9A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerFlat™ （8x8） HV |
| 其它名称 | 497-14214-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 60 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 4-PowerFlat™ HV |
| 封装/箱体 | PowerFLAT-4 8x8 HV |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 系列 | STL24N60M2 |
| 配置 | Single |
