/IRF6618TR1PBF.jpg)
Datasheet下载- 型号： IRF6618TR1PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6618TR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6618TR1PBF价格参考。International RectifierIRF6618TR1PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6618TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6618TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IRF6618TR1PBF是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单个N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、高频率开关性能的电源管理系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器，用于提高能效和减小电源体积； 2. 电机驱动电路：适用于电动工具、工业自动化设备中的电机控制模块； 3. 负载开关与电源管理：在服务器、通信设备及消费类电子产品中作为高效负载开关使用； 4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制，提升电池使用效率与安全性； 5. 同步整流应用：在高效电源拓扑中替代传统二极管以降低导通损耗； 6. 汽车电子：满足AEC-Q101标准，可用于车载电源系统、辅助电机控制等场景。 该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（VDS达30V）和良好热性能，适合高频开关操作，有助于提升整体系统效率并简化散热设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 30A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6618TR1PBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5640pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MT |
| 其它名称 | IRF6618TR1PBFCT |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MT |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Ta）， 170A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6618.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6618.spi |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
