【未分类_IPD075N03LGATMA1】封装/厂家_IPD075N03LGATMA1中文资料_价格

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型号： IPD075N03LGATMA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPD075N03LGATMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD075N03LGATMA1价格参考。InfineonIPD075N03LGATMA1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IPD075N03LGATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD075N03LGATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌）的IPD075N03LGATMA1是一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和优良的热性能，适用于多种中低电压功率转换场景。

其主要应用场景包括：  
1. 电源管理：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器中，特别是在笔记本电脑、主板、显卡等设备的电压调节模块（VRM），提供高效能电能转换。  
2. 电池供电设备：由于其低功耗和高效率特性，适用于便携式电子产品如平板电脑、移动电源、电动工具等的电源系统。  
3. 电机驱动：可用于小型直流电机或步进电机的控制电路，常见于家电（如风扇、洗衣机泵）和工业自动化设备中。  
4. 负载开关与电源切换：作为高性能开关元件，用于控制电源通断，保护电路免受过流或短路影响。  
5. 照明系统：在LED驱动电源中实现高效恒流控制，提升能效和系统可靠性。

该MOSFET采用PG-TSDSO-8封装，具备良好的散热性能，适合高密度PCB布局。其30V耐压和7.5mΩ低导通电阻设计，在保证小体积的同时实现低损耗运行，特别适合对空间和能效要求较高的应用。  

综上，IPD075N03LGATMA1是一款高性能、高可靠性的功率MOSFET，广泛应用于消费电子、工业控制、计算机外设及绿色能源等领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-ContinuousDrainCurrent	50 A
Id-连续漏极电流	50 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD075N03LGATMA1
产品型号	IPD075N03LGATMA1
Pd-PowerDissipation	47 W
Pd-功率耗散	47 W
Qg-GateCharge	18 nC
Qg-栅极电荷	18 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	6.3 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	6.3 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	3.6 ns
下降时间	2.8 ns
产品种类	MOSFET
商标	Infineon Technologies
商标名	OptiMOS
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
正向跨导-最小值	61 S
系列	IPD075N03
配置	Single
零件号别名	SP000680634