图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： FQD4N25TF
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD4N25TF由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD4N25TF价格参考。Fairchild SemiconductorFQD4N25TF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD4N25TF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD4N25TF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD4N25TF 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - FQD4N25TF 的高电压耐受能力（250V Vds）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。 - 它可以作为主开关管或同步整流管，应用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器中。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于小型直流电机的驱动电路中，控制电机的启动、停止和速度调节。 - 其低导通电阻（Rds(on) = 0.75Ω @ Vgs=10V）有助于减少功耗并提高效率。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，FQD4N25TF 可用作功率开关元件，将直流电转换为交流电。 - 其高耐压特性适合高压环境下的逆变应用。 4. 负载开关 - 由于其快速开关特性和低导通损耗，FQD4N25TF 适用于需要高效负载切换的应用场景，例如电池供电设备或汽车电子系统。 5. 继电器替代 - 在需要频繁切换的电路中，FQD4N25TF 可以替代机械继电器，提供更长的使用寿命和更高的可靠性。 6. 保护电路 - 该器件可以用作过流保护或短路保护开关，防止下游电路因过载而损坏。 7. 音频放大器 - 在某些功率音频放大器设计中，FQD4N25TF 可用作输出级开关，实现高效的音频信号放大。 8. 汽车电子 - FQD4N25TF 的高耐压和耐高温特性使其适用于汽车电子领域，例如车灯控制、电动座椅驱动等。 总结 FQD4N25TF 的主要优势在于其高电压承受能力、低导通电阻和较快的开关速度，因此广泛应用于各种需要高效功率控制的场景。具体选择时需根据实际电路需求考虑散热设计和驱动条件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 3A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD4N25TF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.75 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | Q1585607 |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Tc） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
FQD4N25TF 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商