Datasheet下载- 型号： NVMFS5830NLT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVMFS5830NLT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVMFS5830NLT1G价格参考。ON SemiconductorNVMFS5830NLT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVMFS5830NLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVMFS5830NLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NVMFS5830NLT1G是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于单MOSFET产品系列。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高效率和优良的热性能，适用于需要高效能开关和节能设计的场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于开关模式电源（SMPS）、DC-DC转换器（如降压、升压拓扑），适用于笔记本电脑、路由器、机顶盒等电子设备中的电压调节模块。 2. 负载开关与电源开关：在电池供电设备中用作负载开关，控制电源通断，降低待机功耗，提高系统能效。 3. 电机驱动：适用于小型电机控制电路，如无人机、电动工具和家用电器中的直流电机驱动。 4. 照明系统：用于LED驱动电源，支持恒流输出和高效调光功能，常见于汽车照明和工业照明应用。 5. 消费类电子产品：应用于手机充电器、便携式设备电源管理单元，满足高密度、小体积的设计需求。 6. 工业控制：在PLC、传感器模块和工业电源中实现高效电能转换与控制。 该MOSFET采用紧凑型封装（如SO-8或Power-SO8），便于PCB布局，同时具备良好的散热性能。其雪崩能量耐受能力和高可靠性也使其适合在严苛环境中稳定运行。综合来看，NVMFS5830NLT1G是一款高性能、高性价比的功率开关器件，适用于多种中低功率电力电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVMFS5830NLT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5880pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 113nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.3 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 29A （Ta） |
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