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产品简介:
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NTMFS4C35NT3G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于高性能单MOSFET器件。该器件广泛应用于需要高效能、低导通电阻和高开关速度的电源管理系统中。 典型应用场景包括: 1. 电源转换系统:如DC-DC转换器、同步整流电源模块,适用于服务器、通信设备和工业电源等对效率要求高的场合。 2. 电机驱动:用于电动工具、家用电器及小型工业电机的驱动电路,其低RDS(on)可减少功耗,提升驱动效率。 3. 电池管理与保护电路:在锂离子电池包中作为充放电控制开关,提供低损耗和高可靠性。 4. 负载开关与热插拔设计:适用于电信和数据中心设备中的电源管理单元,实现平稳上电和过流保护。 5. LED照明驱动:用于高亮度LED恒流驱动电路,支持高频开关操作,提高调光精度和系统效率。 NTMFS4C35NT3G采用先进的沟槽技术,具有30V耐压、低导通电阻(典型值约17mΩ)、高电流承载能力(连续漏极电流达68A),并具备优良的热性能。其SOT-223封装便于散热和PCB布局,适合空间受限但性能要求较高的应用环境。同时,该器件符合RoHS环保标准,并具备高可靠性,适用于工业、消费电子及通信领域的多种中低电压功率开关场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 80A SO8FL |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTMFS4C35NT3G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2300pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.2 毫欧 @ 30A,10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 780mW |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
标准包装 | 5,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12.4A (Ta) |