Datasheet下载- 型号： NTD4860NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4860NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4860NT4G价格参考。ON SemiconductorNTD4860NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4860NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4860NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4860NT4G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件广泛应用于需要高效、低功耗开关性能的电源管理系统中。 其典型应用场景包括：便携式电子设备的电源开关、电池供电系统中的负载控制、DC-DC转换器、电机驱动电路以及电源管理模块。由于其具有低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和优良的热稳定性，NTD4860NT4G特别适用于需要高效能和小型化设计的场合。 此外，该MOSFET常用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等消费类电子产品中的电源管理单元，也常见于LED驱动电路和热插拔电源控制电路中。其SOT-223封装形式有利于散热，适合在空间受限但需较高功率处理能力的环境中使用。 总体而言，NTD4860NT4G凭借其可靠的性能和紧凑的封装，广泛服务于工业控制、消费电子和通信设备等领域，尤其适合中等功率开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 10.4A DPAKMOSFET NFET 25V 65A 0.0075R DPAK |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD4860NT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD4860NT4G |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 20.1 ns, 17 ns |
| 下降时间 | 4.3 ns, 2.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1308pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 15.2 ns, 22 ns |
| 功率-最大值 | 1.28W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10.4A （Ta）， 65A （Tc） |
| 系列 | NTD4860N |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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