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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7495TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7495TRPBF价格参考。International RectifierIRF7495TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7495TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7495TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRF7495TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS): IRF7495TRPBF适用于开关电源中的功率转换电路,例如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性能够提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动: 该MOSFET可用于驱动小型直流电机或步进电机。通过PWM(脉宽调制)控制,可以实现电机速度和方向的精确调节,常见于家用电器、工业自动化设备及消费电子产品中。 3. 电池管理系统(BMS): 在锂电池保护板或其他类型的电池管理系统中,IRF7495TRPBF可用作充放电路径的开关器件,确保过流、短路保护以及安全切断功能。 4. 逆变器与变频器: 它适合用作逆变器的核心开关元件,将直流电转换为交流电以供家电或工业设备使用;同时也可参与变频器的设计,用于调节输出频率和电压幅度。 5. 负载切换与保护: 在汽车电子系统或通信基站中,此款MOSFET能实现对不同负载的有效切换,并提供过压、欠压及过温保护机制。 6. 音频功放电路: 高性能音响设备可能采用此类MOSFET作为功率放大级的一部分,以获得更佳的音质表现和稳定性。 综上所述,IRF7495TRPBF凭借其优异的电气参数和可靠性,在众多需要高效功率管理与控制的应用领域中占据重要地位。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOICMOSFET MOSFT 100V 7.3A 22mOhm 34nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.3 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7495TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7495TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 22 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 22 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1530pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 22 毫欧 @ 4.4A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7495PBFDKR |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 22 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 34 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 7.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.3A (Ta) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7495.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7495.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |