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  • 型号: IRF7495TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7495TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7495TRPBF价格参考。International RectifierIRF7495TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7495TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7495TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRF7495TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景:

1. 开关电源(SMPS):  
   IRF7495TRPBF适用于开关电源中的功率转换电路,例如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性能够提高效率并减少能量损耗。

2. 电机驱动:  
   该MOSFET可用于驱动小型直流电机或步进电机。通过PWM(脉宽调制)控制,可以实现电机速度和方向的精确调节,常见于家用电器、工业自动化设备及消费电子产品中。

3. 电池管理系统(BMS):  
   在锂电池保护板或其他类型的电池管理系统中,IRF7495TRPBF可用作充放电路径的开关器件,确保过流、短路保护以及安全切断功能。

4. 逆变器与变频器:  
   它适合用作逆变器的核心开关元件,将直流电转换为交流电以供家电或工业设备使用;同时也可参与变频器的设计,用于调节输出频率和电压幅度。

5. 负载切换与保护:  
   在汽车电子系统或通信基站中,此款MOSFET能实现对不同负载的有效切换,并提供过压、欠压及过温保护机制。

6. 音频功放电路:  
   高性能音响设备可能采用此类MOSFET作为功率放大级的一部分,以获得更佳的音质表现和稳定性。

综上所述,IRF7495TRPBF凭借其优异的电气参数和可靠性,在众多需要高效功率管理与控制的应用领域中占据重要地位。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-SOICMOSFET MOSFT 100V 7.3A 22mOhm 34nC Qg

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

7.3 A

Id-连续漏极电流

7.3 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7495TRPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRF7495TRPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

34 nC

Qg-栅极电荷

34 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

22 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

22 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1530pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

51nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

22 毫欧 @ 4.4A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

IRF7495PBFDKR
IRF7495PBFDKR-ND

功率-最大值

2.5W

功率耗散

2.5 W

包装

Digi-Reel®

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

22 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

34 nC

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

7.3 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.3A (Ta)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7495.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7495.spi

闸/源击穿电压

20 V

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