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CPH3351-TL-H产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CPH3351-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH3351-TL-H价格参考。ON SemiconductorCPH3351-TL-H封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 60V 1.8A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH。您可以下载CPH3351-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CPH3351-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CPH3351-TL-H 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款单通道 MOSFET 晶体管。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:CPH3351-TL-H 适用于各种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、电压调节模块(VRM)和负载开关。它能够高效地控制电流流动,确保系统在低功耗模式下运行。 2. 电机驱动:该器件可用于小型电机驱动电路中,例如消费电子设备中的风扇或泵控制。由于其低导通电阻特性,可以减少功率损耗并提高效率。 3. 电池保护与充电:在便携式设备如智能手机、平板电脑及可穿戴设备中,这款 MOSFET 可用于电池保护电路以防止过充、过放以及短路等情况发生;同时也能参与充电电路设计,实现快速充电功能。 4. 信号切换:作为开关元件,CPH3351-TL-H 能够在通信接口(如 USB、UART 等)和其他需要信号隔离或切换的地方发挥作用。 5. 汽车电子:尽管具体规格需确认是否符合车规级要求,但类似产品常被用于车身控制模块(BCM)、信息娱乐系统以及其他车载电子装置中。 总之,CPH3351-TL-H 凭借其优异的电气性能,在众多需要高效功率转换和精确控制的应用领域中表现突出。选择合适的应用场景时,请务必参考官方数据手册以获取准确的技术参数和建议用法。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3MOSFET SWITCHING DEVICE |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 1.8 A |
Id-连续漏极电流 | 1.8 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor CPH3351-TL-H- |
数据手册 | |
产品型号 | CPH3351-TL-H |
Pd-PowerDissipation | 1 W |
Pd-功率耗散 | 1 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 250 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 250 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 262pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 250 毫欧 @ 1A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 3-CPH |
功率-最大值 | 1W |
功率耗散 | 1 W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 250 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-96 |
封装/箱体 | CPH-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 1.8 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.8A (Ta) |
系列 | CPH3351 |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |