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  • 型号: CPH3351-TL-H
  • 制造商: ON Semiconductor
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CPH3351-TL-H产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供CPH3351-TL-H由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CPH3351-TL-H价格参考。ON SemiconductorCPH3351-TL-H封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 60V 1.8A(Ta) 1W(Ta) 3-CPH。您可以下载CPH3351-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CPH3351-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

CPH3351-TL-H 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款单通道 MOSFET 晶体管。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:CPH3351-TL-H 适用于各种电源管理应用,例如 DC-DC 转换器、电压调节模块(VRM)和负载开关。它能够高效地控制电流流动,确保系统在低功耗模式下运行。

2. 电机驱动:该器件可用于小型电机驱动电路中,例如消费电子设备中的风扇或泵控制。由于其低导通电阻特性,可以减少功率损耗并提高效率。

3. 电池保护与充电:在便携式设备如智能手机、平板电脑及可穿戴设备中,这款 MOSFET 可用于电池保护电路以防止过充、过放以及短路等情况发生;同时也能参与充电电路设计,实现快速充电功能。

4. 信号切换:作为开关元件,CPH3351-TL-H 能够在通信接口(如 USB、UART 等)和其他需要信号隔离或切换的地方发挥作用。

5. 汽车电子:尽管具体规格需确认是否符合车规级要求,但类似产品常被用于车身控制模块(BCM)、信息娱乐系统以及其他车载电子装置中。

总之,CPH3351-TL-H 凭借其优异的电气性能,在众多需要高效功率转换和精确控制的应用领域中表现突出。选择合适的应用场景时,请务必参考官方数据手册以获取准确的技术参数和建议用法。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3MOSFET SWITCHING DEVICE

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

1.8 A

Id-连续漏极电流

1.8 A

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor CPH3351-TL-H-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

CPH3351-TL-H

Pd-PowerDissipation

1 W

Pd-功率耗散

1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

250 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

250 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

- 60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

262pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

250 毫欧 @ 1A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

3-CPH

功率-最大值

1W

功率耗散

1 W

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

250 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

SC-96

封装/箱体

CPH-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

1.8 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.8A (Ta)

系列

CPH3351

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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