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产品简介:
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Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为 IRFR1018ETRRPBF 的产品是一款 N沟道功率MOSFET,属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效、高速开关性能的电力电子系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等,因其高效率和低导通电阻(Rds(on))特性,有助于降低功率损耗,提高能源利用率。 2. 电机控制:在直流电机驱动、步进电机或无刷电机控制系统中作为功率开关使用,适用于工业自动化、电动工具和家电设备。 3. 汽车电子:由于其可靠性和耐高温性能,适用于车载电源系统、车身控制模块(如车窗、座椅调节)和LED照明驱动。 4. 负载开关:用于高侧或低侧负载开关电路,控制电源分配,如服务器、通信设备和工业控制系统中的电源管理。 5. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制,实现对电池组的安全管理和高效使用。 6. 消费类电子产品:例如用于笔记本电脑、平板电脑和智能家电中的电源转换和管理模块。 该MOSFET采用Trench沟槽技术,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适合高频开关应用。此外,其封装形式(如TO-252)便于散热和安装,适用于表面贴装工艺。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 79A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRFR1018ETRRPBF |
PCN组件/产地 | |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 100µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2290pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 69nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.4 毫欧 @ 47A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
供应商器件封装 | D-Pak |
功率-最大值 | 110W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 6,000 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 56A (Tc) |