Datasheet下载- 型号： BUK626R2-40C,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK626R2-40C,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK626R2-40C,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK626R2-40C,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK626R2-40C,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK626R2-40C,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BUK626R2-40C,118 是一款高性能N沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有40V漏源电压（VDS）和低导通电阻（典型值约2.6mΩ），适用于高效率、低功耗的电源管理场景。 其主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中的电池管理与电源开关，用于提升能效并延长续航时间；服务器和通信设备中的DC-DC转换器，实现高效的电压调节；电机驱动电路，适用于小型直流电机或步进电机控制，提供快速开关响应与低损耗；此外，也广泛用于负载开关、热插拔控制器和LED驱动电源等模块中，因其具备优良的热稳定性和可靠性，适合在紧凑空间内工作。 BUK626R2-40C采用LFPAK（类似PowerSO-8）封装，具备良好的散热性能，可在较宽温度范围内稳定运行，适用于对空间和能效要求较高的工业、消费电子及通信领域。其低栅极电荷和优异的开关特性有助于降低动态损耗，提高系统整体效率。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 90A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK626R2-40C,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3720pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 67nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.2 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 568-9626-1 |
| 功率-最大值 | 128W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 90A （Tc） |
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