Datasheet下载- 型号： SIR644DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR644DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR644DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR644DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIR644DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR644DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIR644DP-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，常用于高效率电源管理和功率开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的电源系统。 2. 负载开关：用于控制电池供电设备中的电源分配，如智能手机、平板电脑和便携式电子设备。 3. 电机驱动：适用于小型电机控制电路，如无人机、机器人和电动工具中的驱动模块。 4. 电源管理模块：在电源管理系统中作为高效开关元件，用于节能和热管理优化。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明驱动和电池管理系统（BMS）中。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和小型封装（如PowerPAK®），适合高密度、高效率设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIR644DP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3200pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 71nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.7 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR644DP-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 69W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
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