Datasheet下载- 型号： FQPF19N20
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF19N20由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF19N20价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF19N20封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF19N20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF19N20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF19N20是ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）： FQPF19N20的耐压高达200V，适合用于开关电源中的高频开关应用。它可以在DC-DC转换器、AC-DC适配器和电源模块中作为主开关管或同步整流管。 2. 电机驱动： 该器件适用于中小功率电机驱动电路，例如步进电机、直流无刷电机（BLDC）和有刷直流电机的控制。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以减少功率损耗，提高效率。 3. 逆变器： 在光伏逆变器或其他类型的逆变器中，FQPF19N20可以用作功率级开关管，实现高效的直流到交流转换。 4. 负载开关： 由于其较低的导通电阻和良好的开关性能，FQPF19N20非常适合用作负载开关，以控制不同电路之间的电流流动，同时减少能量损失。 5. 电池管理： 在电池管理系统（BMS）中，这款MOSFET可用于电池充放电保护电路、均衡电路以及过流保护等场合。 6. 汽车电子： 虽然FQPF19N20并非专门针对汽车级设计，但在非关键性车载应用中（如车窗升降器、座椅调节器、灯光控制等），它也可以发挥作用。 7. 工业自动化： 在工业控制领域，这款MOSFET可应用于固态继电器、传感器接口、电磁阀驱动等场景。 8. 消费类电子产品： 包括打印机、扫描仪、家用电器（如风扇、水泵）等需要功率控制的地方，FQPF19N20都能提供稳定可靠的性能。 总之，FQPF19N20凭借其高耐压、低导通电阻及快速开关能力，在多种电力电子设备中具有广泛的应用价值。选择具体应用场景时，需根据实际需求考虑散热设计、驱动电压范围以及其他系统参数匹配问题。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 11.8A TO-220FMOSFET 200V N-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 11.8 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF19N20QFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQPF19N20 |
| Pd-PowerDissipation | 50 W |
| Pd-功率耗散 | 50 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 150 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 150 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 190 ns |
| 下降时间 | 80 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 150 毫欧 @ 5.9A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 8.7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.8A （Tc） |
| 系列 | FQPF19N20 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQPF19N20_NL |
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