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Datasheet下载- 型号： IRFS52N15DPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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IRFS52N15DPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS52N15DPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS52N15DPBF价格参考。International RectifierIRFS52N15DPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 150V 51A（Tc） 3.8W（Ta），230W（Tc） D2PAK。您可以下载IRFS52N15DPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS52N15DPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 IRFS52N15DPBF 是一款N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件主要应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。 主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，适用于通信设备、服务器和工业控制系统中的高效能电源模块。 2. 电机控制：用于无刷直流电机（BLDC）或步进电机的驱动电路中，常见于工业自动化设备、机器人控制及电动工具中。 3. 负载开关与电源管理：作为高侧或低侧开关，用于电池管理系统、电源分配系统及智能电表中，实现对负载的快速控制与保护。 4. 汽车电子：如车载充电系统、车身控制模块、LED照明驱动等，得益于其高可靠性和封装耐用性，适合在汽车环境中使用。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、游戏设备、高性能充电器等，用于提高能效和减小系统尺寸。 该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（150V）和较强的电流承载能力，适合中高功率应用，且支持表面贴装，便于自动化生产。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 51A D2PAKMOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 32mOhms 60nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS52N15DPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS52N15DPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 320 W |
| Pd-功率耗散 | 320 W |
| Qg-GateCharge | 60 nC |
| Qg-栅极电荷 | 60 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 32 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 32 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 47 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2770pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 89nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 32 毫欧 @ 36A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 28 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 51A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfs52n15d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfs52n15d.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
