【未分类_SI2335DS-T1-GE3】封装/厂家_SI2335DS-T1-GE3中文资料_价格

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型号： SI2335DS-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SI2335DS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2335DS-T1-GE3价格参考。VishaySI2335DS-T1-GE3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载SI2335DS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2335DS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI2335DS-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其应用场景非常广泛，主要适用于需要高效开关和低导通电阻的电路设计。以下是该型号的一些典型应用场景：

 1. 电源管理
   - DC-DC 转换器：SI2335DS-T1-GE3 的低导通电阻（Rds(on) 典型值为 4.5mΩ）使其非常适合用作同步整流器或功率级开关，以提高 DC-DC 转换器的效率。
   - 负载开关：在便携式设备中，这款 MOSFET 可用于控制负载的供电状态，减少待机功耗。
   - 电池保护电路：可用于防止过充、过放或短路等异常情况。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制：通过 PWM 调制实现电机速度和方向的精确控制。
   - H 桥电路：作为 H 桥的一部分，用于驱动步进电机或双向直流电机。

 3. 信号切换
   - 高速信号切换：由于其快速开关特性，可以用于音频、视频或其他高频信号的切换。
   - 多路复用器/解复用器：在多通道系统中选择不同的信号路径。

 4. 消费电子
   - 智能手机和平板电脑：用于充电管理、音频放大器供电和背光控制。
   - 笔记本电脑：应用于电源适配器、风扇控制和其他外围设备的电源管理。

 5. 工业应用
   - 传感器接口：用于控制传感器的供电或信号传输。
   - 继电器替代：利用 MOSFET 实现无机械触点的电子开关，提高可靠性和寿命。

 6. 汽车电子
   - 车载电子设备：如车窗升降器、雨刷电机控制和照明系统。
   - 电池管理系统 (BMS)：用于监控和保护电动车或混合动力车的电池组。

 特性优势
- 低导通电阻：降低功率损耗，提高效率。
- 高开关速度：适合高频应用，减少开关损耗。
- 小封装尺寸 (DFN8065-2L)：节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。
- 高电流能力：连续漏极电流可达 27A（Tc=25°C），满足大功率需求。

总之，SI2335DS-T1-GE3 是一款高性能的 MOSFET，适用于各种需要高效功率转换和开关的应用场景，尤其是在便携式设备、消费电子和工业控制领域表现优异。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
品牌	Vishay Siliconix
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SI2335DS-T1-GE3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	TrenchFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	450mV @ 250µA （最小）
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1225pF @ 6V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	15nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	51 毫欧 @ 4A，4.5V
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
功率-最大值	750mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准包装	3,000
漏源极电压(Vdss)	12V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3.2A （Ta）