Datasheet下载- 型号： SI3458DV-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3458DV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3458DV-T1-E3价格参考。VishaySI3458DV-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3458DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3458DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3458DV-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用小型SOT-23封装，适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 电源管理开关：常用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，实现低功耗待机与系统节能。 2. 电压反转与电平转换：在数字逻辑电路中用于电平移位，特别是在低压系统（如1.8V、3.3V）与较高电压接口之间进行信号转换，确保通信兼容性。 3. 电机驱动与继电器驱动：适用于小功率直流电机或继电器的控制电路，提供高效的开关功能，广泛用于消费类电子产品和小型工业设备。 4. 热插拔与过流保护电路：配合控制器用于防止电源反接或限制浪涌电流，保护后级电路安全。 该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、低阈值电压和高开关速度，支持高效能、低损耗运行。同时，SOT-23封装便于高密度贴装，适合自动化生产。因其可靠性和稳定性，SI3458DV-T1-E3 广泛应用于移动设备、便携仪器、电源适配器及各类嵌入式系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 3.2A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3458DV-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 3.2A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3458DV-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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