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  • 型号: DMG4435SSS-13
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供DMG4435SSS-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMG4435SSS-13价格参考。Diodes Inc.DMG4435SSS-13封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 7.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SOP。您可以下载DMG4435SSS-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMG4435SSS-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOICMOSFET MOSFET,P-CHANNEL

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 7.5 A

Id-连续漏极电流

- 7.5 A

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMG4435SSS-13-

数据手册

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产品型号

DMG4435SSS-13

PCN其它

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

35.4 nC

Qg-栅极电荷

35.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

20 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

20 mOhms

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 2.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 2.5 V

上升时间

12.7 ns

下降时间

22.8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1614pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

16 毫欧 @ 11A,20V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOP

其它名称

DMG4435SSS-13DICT

典型关闭延迟时间

44.9 ns

功率-最大值

1.3W

包装

剪切带 (CT)

商标

Diodes Incorporated

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

22 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

7.3A (Ta)

系列

DMG4435

通道模式

Enhancement

配置

Dual Dual Drain

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