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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLMS2002TR由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLMS2002TR价格参考。International RectifierIRLMS2002TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLMS2002TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLMS2002TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRLMS2002TR的器件属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),是一款集成式功率MOSFET,常用于需要高效、紧凑设计的电源管理系统中。 该器件主要应用场景包括: 1. 电源管理模块:适用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的电源控制,因其低导通电阻和高效率特点,有助于提升系统能效并减少发热。 2. 便携式电子产品:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,用于电池保护和电源切换,其小型封装适合空间受限的设计。 3. 电机驱动与负载控制:可用于小型电机、继电器或LED照明系统的开关控制,具备良好的热稳定性和快速响应能力。 4. 工业控制系统:在自动化设备、传感器模块和智能家电中作为功率开关使用,支持高频操作和稳定性能。 5. 汽车电子应用:如车载充电系统、车身控制模块等,符合汽车级可靠性要求,能在较宽温度范围内稳定工作。 IRLMS2002TR集成了N沟道MOSFET与驱动电路,采用节省空间的封装形式,适合高密度PCB布局,广泛应用于中小型功率级别的高效电源设计中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,2.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRLMS2002TR |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1310pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 30 毫欧 @ 6.5A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
供应商器件封装 | Micro6™(TSOP-6) |
其它名称 | *IRLMS2002TR |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-LSOP(0.063",1.60mm 宽) |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.5A (Ta) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlms2002.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlms2002.spi |