| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFV22N50P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFV22N50P价格参考。IXYSIXFV22N50P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFV22N50P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFV22N50P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFV22N50P是一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),具有500V的高漏源击穿电压和22A的连续漏极电流能力,适用于高电压、中高功率的应用场景。 该器件广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器和电机驱动系统中,凭借其低导通电阻和快速开关特性,能有效提升电源效率并减少热损耗。由于具备高耐压和强电流承载能力,IXFV22N50P也常用于工业控制设备、UPS不间断电源和太阳能逆变器等电力电子系统中。 此外,该MOSFET还适用于感应加热、电子镇流器和高压脉冲发生器等需要高频高压操作的场合。其封装形式(如TO-247)具备良好的散热性能,适合在较严苛的工业环境中稳定运行。 综上,IXFV22N50P主要应用于工业电源、可再生能源系统、电机控制及各类高效率开关电路中,是高电压功率转换领域的可靠选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 22A PLUS220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IXFV22N50P |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PolarHV™ HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 2.5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2630pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 270 毫欧 @ 11A,10V |
| 供应商器件封装 | PLUS220 |
| 功率-最大值 | 350W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3(SMT)标片 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22A (Tc) |