Datasheet下载- 型号： FQU1N60CTU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQU1N60CTU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU1N60CTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU1N60CTU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQU1N60CTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQU1N60CTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQU1N60CTU 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS） - FQU1N60CTU 的高电压耐受能力（600V）使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用，例如 AC-DC 转换器和 DC-DC 转换器。 - 它可以作为主开关管或同步整流管，提供高效的功率转换。 2. 电机驱动 - 在中小功率电机驱动中，该 MOSFET 可用作驱动电路中的开关元件，控制电机的启停、速度和方向。 - 其低导通电阻（Rds(on) = 5.7Ω @ Vgs=10V）有助于减少功耗，提高效率。 3. 逆变器 - 适用于小型逆变器设计，例如太阳能微逆变器或 UPS 系统中的逆变电路。 - 高击穿电压（600V）确保其在高压环境下的可靠性。 4. 电磁阀和继电器驱动 - 由于其能够承受较高的电压和电流，FQU1N60CTU 可用于驱动电磁阀、继电器等负载。 - 提供快速开关性能，同时保护后续电路免受过压影响。 5. LED 驱动 - 在高亮度 LED 照明应用中，该 MOSFET 可用作恒流源的开关元件，实现精确的电流控制。 - 其紧凑的封装（TO-252/DPAK）适合空间受限的设计。 6. 保护电路 - 用于过流保护、短路保护和负载切换等场景。 - 利用其快速开关特性和高耐压能力，确保系统在异常情况下安全运行。 7. 汽车电子 - 在汽车电子领域，FQU1N60CTU 可应用于车载充电器、电动车窗控制器、雨刷电机驱动等。 - 其高可靠性和耐压特性满足汽车环境的严苛要求。 总之，FQU1N60CTU 凭借其高电压耐受能力、低导通电阻和紧凑封装，广泛适用于各种工业、消费类和汽车电子领域的功率开关和控制应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 1A IPAKMOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 A |
| Id-连续漏极电流 | 1 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQU1N60CTUQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQU1N60CTU |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 21 ns |
| 下降时间 | 27 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 170pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | FQU1N60CTU-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 343.080 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 11.5 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 70 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 70 |
| 正向跨导-最小值 | 0.75 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 1 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Tc） |
| 系列 | FQU1N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQU1N60CTU_NL |
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