Datasheet下载- 型号： IXTP05N100
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTP05N100由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTP05N100价格参考。IXYSIXTP05N100封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXTP05N100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXTP05N100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTP05N100是一款单N沟道MOSFET晶体管，属于功率场效应晶体管（Power MOSFET）。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性的特点，适用于高电压和中低电流的功率应用。 应用场景包括： 1. 电源转换设备：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC整流器等，适用于需要高效率和小体积设计的场合。 2. 电机控制：用于中小型电机的驱动电路中，尤其在需要高频开关和节能控制的场合。 3. 照明系统：如LED驱动电源、高压气体放电灯（HID）镇流器等，适合高电压输入环境。 4. 工业自动化设备：作为功率开关用于工业控制模块、继电器替代、负载开关等。 5. 新能源领域：如太阳能逆变器、储能系统中的功率调节模块，适用于中高压直流系统的能量转换。 6. 测试与测量设备：用于高电压测试电路、负载模拟器等实验设备中，提供稳定可靠的开关控制。 该器件采用TO-220封装，便于散热和安装，适合中功率级别的应用。由于其1000V的漏源击穿电压（VDS）和较低的导通电阻，IXTP05N100在高压小电流应用场景中具有较高的性价比和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220MOSFET 0.75 Amps 1000V 15 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 750 mA |
| Id-连续漏极电流 | 750 mA |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTP05N100- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTP05N100 |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| Qg-GateCharge | 7.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 19 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 260pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.8nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 欧姆 @ 375mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.300 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 0.55 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 750mA （Tc） |
| 系列 | IXTP05N100 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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