Datasheet下载- 型号： IRF9Z24NSPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9Z24NSPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9Z24NSPBF价格参考。International RectifierIRF9Z24NSPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF9Z24NSPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9Z24NSPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF9Z24NSPBF的器件是一款P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管中的FET分类。该器件广泛应用于需要高效功率控制的电子系统中。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、电源开关电路中，实现高效的能量转换与管理，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源系统。 2. 负载开关：作为高侧或低侧开关，控制电机、灯、风扇等负载的通断，常见于工业控制和消费类电子产品中。 3. 电池供电设备：如便携式仪器、电动工具和UPS（不间断电源），用于电池充放电管理和电源切换。 4. 汽车电子：用于车载电源系统、车身控制模块等，满足汽车环境中对可靠性和稳定性的要求。 5. 逆变器与电机控制：在小型电机驱动和逆变器电路中，作为功率开关元件，实现对电机转速和方向的控制。 该MOSFET具备低导通电阻、高可靠性和良好的热稳定性，适合中高功率应用，是电源设计中的常用器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAKMOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 175mOhms 12.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 12 A |
| Id-连续漏极电流 | - 12 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9Z24NSPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9Z24NSPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 45 W |
| Pd-功率耗散 | 45 W |
| Qg-GateCharge | 12.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 175 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 175 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 55 ns |
| 下降时间 | 37 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 175 毫欧 @ 7.2A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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