Datasheet下载- 型号： IRFZ24PBF
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ24PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ24PBF价格参考。VishayIRFZ24PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFZ24PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFZ24PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFZ24PBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电池充电器中，因其具有低导通电阻和高效率特性，有助于提高能源利用率。 2. 电机控制：适用于直流电机驱动电路，能够承受较高的电流冲击，实现对电机启停、转速及方向的精确控制。 3. 负载开关：作为高效电子开关使用，例如在工业自动化系统或智能家电中控制大功率负载的通断。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和逆变器中用作功率开关元件，确保电力中断时能快速切换供电模式。 5. 汽车电子：由于其具备良好的热稳定性和可靠性，也常见于汽车电气系统如车窗控制、灯光调节等模块中。 该器件采用 TO-220 封装形式，便于散热设计，适合需要中高功率处理能力的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 17A TO-220ABMOSFET N-Chan 60V 17 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFZ24PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFZ24PBFIRFZ24PBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
| Pd-功率耗散 | 3.7 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 58 ns |
| 下降时间 | 42 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 640pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRFZ24PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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