Datasheet下载- 型号： SI3477DV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3477DV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3477DV-T1-GE3价格参考。VishaySI3477DV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3477DV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3477DV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3477DV-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理 - 该 MOSFET 适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够有效减少功率损耗，提高效率。 - 在负载开关应用中，可用于动态控制电路的开启与关闭，确保系统在待机或关断状态下保持低功耗。 2. 电机驱动 - 在小型电机驱动应用中，SI3477DV-T1-GE3 可用作功率级开关，驱动直流电机、步进电机或无刷直流电机（BLDC）。 - 其快速开关特性和低栅极电荷有助于减少开关损耗，适合高频 PWM 控制。 3. 电池管理系统（BMS） - 在锂电池保护电路中，可用作电池充放电路径的开关，实现过流保护、短路保护以及欠压/过压切断功能。 - 低 Rds(on) 特性使其非常适合需要高效能量传输的应用场景。 4. 通信设备 - 在路由器、交换机等网络设备中，作为信号路径或电源路径的开关，提供稳定的电流输出并减少热耗散。 - 在便携式电子设备（如智能手机和平板电脑）中，用于 USB 充电端口的保护和切换。 5. 汽车电子 - 在车载电子系统中，可用于车身控制模块（BCM）、信息娱乐系统及辅助驾驶系统的电源管理部分。 - 具备良好的耐用性和可靠性，可承受汽车环境中的温度变化和振动影响。 6. 工业自动化 - 在工业控制领域，用于继电器替代、固态继电器设计或伺服控制系统中的功率开关。 - 高频开关能力使其适合精密控制任务，例如变频器和逆变器应用。 总结 SI3477DV-T1-GE3 凭借其优异的电气性能（如低 Rds(on) 和高电流承载能力），广泛应用于消费电子、通信设备、工业自动化以及汽车电子等领域。它特别适合对效率、可靠性和紧凑设计有较高要求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOPMOSFET -12V 17.5mOhm@4.5V 8A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 8 A |
| Id-连续漏极电流 | - 8 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3477DV-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3477DV-T1-GE3SI3477DV-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 4.2 W |
| Pd-功率耗散 | 4.2 W |
| Qg-GateCharge | 28.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 28.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 10 nS |
| 下降时间 | 30 nS |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 90nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17.5 毫欧 @ 9A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3477DV-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 65 nS |
| 功率-最大值 | 4.2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 30 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A （Tc） |
| 配置 | Single Quad Drain |
| 零件号别名 | SI3477DV-GE3 |
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