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  • 型号: PMZ1000UN,315
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMZ1000UN,315由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMZ1000UN,315价格参考。NXP SemiconductorsPMZ1000UN,315封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMZ1000UN,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMZ1000UN,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 PMZ1000UN,315 是一款P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于需要高效功率控制的电子电路中。该器件适用于多种电源管理和开关应用,具备低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性。

PMZ1000UN,315 主要应用场景包括:

1. 电源管理:用于DC-DC转换器、稳压器和电池充电电路中,实现高效的能量转换与调节。
2. 负载开关:在便携式设备(如智能手机、平板电脑)中作为负载开关,控制电源的通断,以节省能耗。
3. 电机驱动:用于小型电机或继电器的控制电路中,作为开关元件,实现对电机启停和方向的控制。
4. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明控制、电动窗或座椅调节等低功率汽车电子模块。
5. 工业控制:用于工业自动化设备中的开关电源或控制电路,提供稳定可靠的功率切换功能。

该MOSFET采用小型封装,适合空间受限的设计,同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力,适用于高密度和高效率要求的电子产品设计中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH SOT883

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PMZ1000UN,315

PCN封装

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

950mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

43pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

0.89nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1 欧姆 @ 200mA,4.5V

供应商器件封装

SOT-883

其它名称

568-7439-6

功率-最大值

350mW

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-101,SOT-883

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

480mA (Ta)

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