| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMZ1000UN,315由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMZ1000UN,315价格参考。NXP SemiconductorsPMZ1000UN,315封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMZ1000UN,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMZ1000UN,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PMZ1000UN,315 是一款P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于需要高效功率控制的电子电路中。该器件适用于多种电源管理和开关应用,具备低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性。 PMZ1000UN,315 主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、稳压器和电池充电电路中,实现高效的能量转换与调节。 2. 负载开关:在便携式设备(如智能手机、平板电脑)中作为负载开关,控制电源的通断,以节省能耗。 3. 电机驱动:用于小型电机或继电器的控制电路中,作为开关元件,实现对电机启停和方向的控制。 4. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明控制、电动窗或座椅调节等低功率汽车电子模块。 5. 工业控制:用于工业自动化设备中的开关电源或控制电路,提供稳定可靠的功率切换功能。 该MOSFET采用小型封装,适合空间受限的设计,同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力,适用于高密度和高效率要求的电子产品设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH SOT883 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMZ1000UN,315 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 43pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.89nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1 欧姆 @ 200mA,4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-883 |
| 其它名称 | 568-7439-6 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101,SOT-883 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 480mA (Ta) |