Datasheet下载- 型号： PMZ1000UN,315
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMZ1000UN,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMZ1000UN,315价格参考。NXP SemiconductorsPMZ1000UN,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMZ1000UN,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMZ1000UN,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia的PMZ1000UN,315是一款N沟道增强型逻辑电平MOSFET（单个封装），采用SOT-323（SC-70）超小型表面贴装封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅100 mΩ @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷（Qg≈2.1 nC）及1.8A连续漏极电流（ID）能力。其主要应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关、LED背光驱动或电池保护电路，得益于小尺寸与低功耗特性； - 低压直流配电系统：在3.3V/5V供电系统中作为高效电子开关，用于USB外设供电控制、传感器模块使能/关断等； - 逻辑电平兼容接口电路：可直接由MCU（如ARM Cortex-M系列GPIO）驱动（Vgs(th)低至0.6–1.2V），适用于I/O扩展、信号选通或电平转换辅助开关； - 空间受限的消费类与工业IoT节点：如智能电表、无线传感器节点中的电源时序控制或电池反向阻断（配合体二极管或外部设计实现）。 该器件不适用于高功率或高频开关（如DC-DC主开关），但凭借高可靠性、AEC-Q101认证（部分批次）及宽工作温度范围（-55°C ~ +150°C），亦常见于汽车电子后装设备及工业控制板卡的次级电源管理环节。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH SOT883 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PMZ1000UN,315 |
| PCN封装 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 950mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 43pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.89nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1 欧姆 @ 200mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-883 |
| 其它名称 | 568-7439-6 |
| 功率-最大值 | 350mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-101，SOT-883 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 480mA （Ta） |
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