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FQU13N06LTU产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQU13N06LTU由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU13N06LTU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU13N06LTU封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 11A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) I-PAK。您可以下载FQU13N06LTU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQU13N06LTU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQU13N06LTU 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于多种电子设备和系统中。该器件具有13A连续漏极电流和60V的漏源击穿电压,适用于中高功率开关应用。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、开关电源(SMPS)中,用于高效能电能转换。 2. 电机控制:在直流电机驱动器或步进电机控制电路中作为功率开关,实现电机启停、调速等功能。 3. 负载开关:用于控制高电流负载的通断,如LED照明、加热元件、风扇等。 4. 逆变器与变频器:在小型逆变器或变频电源中作为功率开关元件,实现直流到交流的转换。 5. 电池管理系统(BMS):在电池充放电保护电路中用作主开关,控制电流流向。 6. 工业自动化设备:用于PLC、继电器替代、传感器电源控制等工业控制系统中。 FQU13N06LTU采用TO-252封装,具备良好的热性能和可靠性,适合在紧凑型设计中使用。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少导通损耗,提高系统效率,适用于需要高可靠性和高性能的中功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 11A IPAKMOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQU13N06LTUQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQU13N06LTU |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 115 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 115 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 90 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.4nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 115 毫欧 @ 5.5A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 343.080 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 70 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 70 |
| 正向跨导-最小值 | 6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |
| 系列 | FQU13N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQU13N06LTU_NL |