Datasheet下载- 型号： NTB30N20
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB30N20由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB30N20价格参考。ON SemiconductorNTB30N20封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB30N20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB30N20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB30N20 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于需要高效功率开关的场合。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等，具备低导通电阻和高效率特性，有助于提升电源系统的整体能效。 2. 电机驱动：可用于直流电机、步进电机等驱动电路中，作为功率开关控制电机的启停与转速。 3. 负载开关：在工业控制或自动化系统中，作为高侧或低侧开关控制负载的通断。 4. 逆变器与UPS系统：适用于不间断电源（UPS）或逆变器中，用于实现直流到交流的电能转换。 5. 电池管理系统：用于电池充放电控制电路中，确保电池组的安全运行。 该器件具有较高的耐压能力（200V）和较大的连续漏极电流（30A），适合中高功率应用。同时封装形式便于散热设计，适用于对空间和效率有要求的电子设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTB30N20 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2335pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 81 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Ta） |
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