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  • 型号: FDP038AN06A0
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FDP038AN06A0产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDP038AN06A0由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP038AN06A0价格参考。Fairchild SemiconductorFDP038AN06A0封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 17A(Ta),80A(Tc) 310W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP038AN06A0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP038AN06A0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDP038AN06A0 是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有以下关键特性:低导通电阻(Rds(on))、高开关速度以及良好的热性能,使其适用于多种电力电子应用场景。

以下是FDP038AN06A0的主要应用场景:

1. 开关电源 (SMPS)  
   该MOSFET适用于开关模式电源中的功率开关,例如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高电源效率。

2. 电机驱动  
   在小型直流电机驱动中,FDP038AN06A0可以用作功率级开关,实现高效的PWM控制,支持家用电器、电动工具和工业自动化设备中的电机应用。

3. 负载切换与保护  
   该器件可用于负载切换电路中,提供快速的开启/关闭功能,同时具备过流保护能力,适合消费电子、汽车电子及通信设备中的负载管理。

4. 逆变器  
   在小型逆变器中,这款MOSFET可以作为功率开关元件,用于将直流电转换为交流电,广泛应用于太阳能微逆变器或便携式逆变器。

5. 电池管理系统 (BMS)  
   FDP038AN06A0可用作电池充放电路径的开关,支持锂离子电池组的保护和能量管理,确保系统安全运行。

6. LED驱动器  
   在LED照明应用中,该MOSFET可作为开关元件,用于恒流驱动电路,提供高效且稳定的电流输出。

7. 汽车电子  
   其坚固的设计和可靠性使其适合汽车环境下的应用,如车载充电器、电动车窗控制器和座椅调节系统等。

总之,FDP038AN06A0凭借其优异的电气特性和性价比,成为许多低至中等功率应用的理想选择,尤其在需要高效能和紧凑设计的场合表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220ABMOSFET 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

80 A

Id-连续漏极电流

80 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP038AN06A0PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDP038AN06A0

Pd-PowerDissipation

310 W

Pd-功率耗散

310 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

3.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

3.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

144 ns

下降时间

60 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6400pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

124nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.8 毫欧 @ 80A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

典型关闭延迟时间

34 ns

功率-最大值

310W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

17A (Ta), 80A (Tc)

系列

FDP038AN06A0

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FDP038AN06A0_NL

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