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FDP038AN06A0产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP038AN06A0由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP038AN06A0价格参考。Fairchild SemiconductorFDP038AN06A0封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 60V 17A(Ta),80A(Tc) 310W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP038AN06A0参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP038AN06A0 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP038AN06A0 是由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有以下关键特性:低导通电阻(Rds(on))、高开关速度以及良好的热性能,使其适用于多种电力电子应用场景。 以下是FDP038AN06A0的主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) 该MOSFET适用于开关模式电源中的功率开关,例如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高电源效率。 2. 电机驱动 在小型直流电机驱动中,FDP038AN06A0可以用作功率级开关,实现高效的PWM控制,支持家用电器、电动工具和工业自动化设备中的电机应用。 3. 负载切换与保护 该器件可用于负载切换电路中,提供快速的开启/关闭功能,同时具备过流保护能力,适合消费电子、汽车电子及通信设备中的负载管理。 4. 逆变器 在小型逆变器中,这款MOSFET可以作为功率开关元件,用于将直流电转换为交流电,广泛应用于太阳能微逆变器或便携式逆变器。 5. 电池管理系统 (BMS) FDP038AN06A0可用作电池充放电路径的开关,支持锂离子电池组的保护和能量管理,确保系统安全运行。 6. LED驱动器 在LED照明应用中,该MOSFET可作为开关元件,用于恒流驱动电路,提供高效且稳定的电流输出。 7. 汽车电子 其坚固的设计和可靠性使其适合汽车环境下的应用,如车载充电器、电动车窗控制器和座椅调节系统等。 总之,FDP038AN06A0凭借其优异的电气特性和性价比,成为许多低至中等功率应用的理想选择,尤其在需要高效能和紧凑设计的场合表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-220ABMOSFET 60V 80a .38 Ohms/VGS=1V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP038AN06A0PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP038AN06A0 |
| Pd-PowerDissipation | 310 W |
| Pd-功率耗散 | 310 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 144 ns |
| 下降时间 | 60 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 124nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.8 毫欧 @ 80A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 典型关闭延迟时间 | 34 ns |
| 功率-最大值 | 310W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Ta), 80A (Tc) |
| 系列 | FDP038AN06A0 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDP038AN06A0_NL |