Datasheet下载- 型号： IRFU024PBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFU024PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFU024PBF价格参考。VishayIRFU024PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFU024PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFU024PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFU024PBF是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：IRFU024PBF适用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电压调节模块（VRM）等，提供高效的功率转换和稳定的电流输出。 2. 电机控制：可用于小型电机驱动电路，如风扇、泵或伺服电机控制，实现精确的速度和方向控制。 3. 负载开关：在各种电子设备中用作负载开关，能够快速开启或关闭电路，降低功耗并保护电路免受过流影响。 4. 电池管理系统（BMS）：用于锂电池保护电路中，控制充电和放电路径，确保电池安全运行。 5. 逆变器和变频器：适用于小型逆变器和变频器应用，支持可再生能源系统（如太阳能逆变器）或家用电器中的频率转换。 6. 汽车电子：在汽车领域中，可用于车载电子设备的电源切换、照明控制和辅助系统（如电动车窗、雨刷等）。 7. 保护电路：作为过流保护或短路保护元件，防止下游电路因异常情况而损坏。 8. 音频放大器：在某些功率音频放大器设计中，可以用作输出级开关，提供高保真音质的同时减少失真。 IRFU024PBF凭借其低导通电阻（典型值为25mΩ@Vgs=10V）、高击穿电压（50V）以及出色的开关性能，在上述应用中表现出优异的效率和可靠性。同时，其TO-252封装形式适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和紧凑型设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 14A I-PAKMOSFET N-Chan 60V 14 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFU024PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFU024PBFIRFU024PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 58 ns |
| 下降时间 | 42 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 640pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 8.4A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-251AA |
| 其它名称 | *IRFU024PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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