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IXFK32N100Q3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFK32N100Q3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFK32N100Q3价格参考。IXYSIXFK32N100Q3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 1000V 32A(Tc) 1250W(Tc) TO-264AA(IXFK)。您可以下载IXFK32N100Q3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFK32N100Q3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFK32N100Q3是一款高性能的N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于高功率和高频率场景。该器件具有低导通电阻、高耐压(1000V)和大电流承载能力(32A),适合需要高效能与稳定性的系统。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如DC-DC转换器、AC-DC电源模块,适用于通信电源、服务器电源及工业电源系统。 2. 电机驱动:用于变频器、伺服电机和步进电机控制电路中,提供快速开关响应和良好热稳定性。 3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等设备中实现高效的能量转换。 4. 焊接设备与感应加热:因其高耐压与高电流特性,适合用于高频焊接与电磁感应加热装置。 5. 电动汽车相关应用:如车载充电器、电驱系统中的辅助电源管理模块。 该MOSFET采用TO-264封装,便于散热设计,适合在高功率密度和高温环境下使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 32 A |
| Id-连续漏极电流 | 32 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFK32N100Q3HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFK32N100Q3 |
| Pd-PowerDissipation | 1250 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 kW |
| Qg-GateCharge | 195 nC |
| Qg-栅极电荷 | 195 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 320 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 320 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 250 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 6.5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9940pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 195nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 320 毫欧 @ 16A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-264AA (IXFK) |
| 功率-最大值 | 1250W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-264-3,TO-264AA |
| 封装/箱体 | TO-264-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 25 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/ixys-q3-class-hiperfet-power-mosfet/1012 |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A (Tc) |
| 系列 | IXFK32N100 |
| 配置 | Single |