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FQPF33N10产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF33N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF33N10价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF33N10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 18A(Tc) 41W(Tc) TO-220F。您可以下载FQPF33N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF33N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF33N10是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于中高功率开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电源模块,因其具备低导通电阻和高效率特性,有助于提高电源转换效率并减少发热。 2. 电机控制:在直流电机驱动器和无刷电机控制系统中,作为功率开关使用,支持快速开关操作,提升控制精度和系统响应速度。 3. 逆变器与变频器:用于光伏逆变器、UPS不间断电源以及工业变频设备中,实现高效的电能转换。 4. 汽车电子:如车载充电系统、电池管理系统(BMS)及LED照明驱动等,因其具备较高的可靠性和耐用性,适合车载环境。 5. 工业自动化:用于PLC、伺服驱动器及工业电源模块中,作为高效能开关元件。 该MOSFET具有高电流承载能力和良好的热稳定性,适合需要高效率和高可靠性的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 18A TO-220FMOSFET 100V N-Channel QFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
Id-连续漏极电流 | 18 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF33N10QFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQPF33N10 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 41 W |
Pd-功率耗散 | 41 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 52 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 52 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
上升时间 | 195 ns |
下降时间 | 110 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 52 毫欧 @ 9A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220F |
典型关闭延迟时间 | 80 ns |
功率-最大值 | 41W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 2.270 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 20 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Tc) |
系列 | FQPF33N10 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQPF33N10_NL |