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  • 型号: FQPF33N10
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQPF33N10产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF33N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF33N10价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF33N10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 18A(Tc) 41W(Tc) TO-220F。您可以下载FQPF33N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF33N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQPF33N10是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,常用于中高功率开关应用。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电源模块,因其具备低导通电阻和高效率特性,有助于提高电源转换效率并减少发热。

2. 电机控制:在直流电机驱动器和无刷电机控制系统中,作为功率开关使用,支持快速开关操作,提升控制精度和系统响应速度。

3. 逆变器与变频器:用于光伏逆变器、UPS不间断电源以及工业变频设备中,实现高效的电能转换。

4. 汽车电子:如车载充电系统、电池管理系统(BMS)及LED照明驱动等,因其具备较高的可靠性和耐用性,适合车载环境。

5. 工业自动化:用于PLC、伺服驱动器及工业电源模块中,作为高效能开关元件。

该MOSFET具有高电流承载能力和良好的热稳定性,适合需要高效率和高可靠性的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 18A TO-220FMOSFET 100V N-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

18 A

Id-连续漏极电流

18 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF33N10QFET®

数据手册

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产品型号

FQPF33N10

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

41 W

Pd-功率耗散

41 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

52 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

52 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

195 ns

下降时间

110 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1500pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

51nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

52 毫欧 @ 9A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220F

典型关闭延迟时间

80 ns

功率-最大值

41W

包装

管件

单位重量

2.270 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 整包

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

20 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

18A (Tc)

系列

FQPF33N10

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQPF33N10_NL

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