ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SI4490DY-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SI4490DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SI4490DY-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4490DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4490DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4490DY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 2.85A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO。您可以下载SI4490DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4490DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4490DY-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效功率控制的电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、负载开关和电池供电设备中的高效电源管理，适用于笔记本电脑、平板电脑和移动设备。 2. 负载开关与电源分配：在服务器、工业控制系统和通信设备中作为负载开关，实现对不同电路模块的通断控制，提高系统效率和可靠性。 3. 马达控制与驱动电路：用于小型电机、继电器和电磁阀的驱动控制，常见于家电、电动工具和自动化设备中。 4. 电池保护电路：应用于电池管理系统（BMS）中，作为充放电路径的控制元件，防止过流、短路等异常情况对电池造成损害。 5. 热插拔电路：在服务器和通信设备的热插拔电源模块中，用于防止插拔过程中的电流冲击。 该器件具有低导通电阻、高可靠性与小型封装优势，适合高密度、高效率的电源设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-SOICMOSFET 200V 4.0A 3.1W 80mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.85 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.85 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4490DY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4490DY-T1-GE3SI4490DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.56 W |
| Pd-功率耗散 | 1.56 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 80 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 80 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA (最小) |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 4A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4490DY-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 1.56W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.85A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4490DY-GE3 |
