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Datasheet下载- 型号： IRF7815TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7815TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7815TRPBF价格参考￥询价-￥询价。International RectifierIRF7815TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7815TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7815TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF7815TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源（SMPS）：IRF7815TRPBF可用于开关电源中的功率开关，实现高效的电压转换和稳压功能。 - DC-DC转换器：适用于降压或升压电路，提供稳定的输出电压，广泛用于消费电子和工业设备中。 - 负载切换：在需要快速切换负载电流的场景中，该MOSFET能够以低导通电阻（Rds(on)）减少功耗。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：用于驱动小型风扇、泵或其他低功率直流电机，支持PWM调速。 - H桥电路：作为H桥的一部分，用于双向控制电机的旋转方向。 3. 电池管理系统（BMS） - 电池保护：用于锂电池或铅酸电池的充放电保护电路，防止过流、短路等问题。 - 电量监测：通过精确控制电流流动，支持电池电量的高效管理。 4. 信号放大与缓冲 - 在某些低频信号处理应用中，IRF7815TRPBF可用作信号放大或缓冲元件，确保信号完整性。 5. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、座椅调节器等需要低功耗和高可靠性的场合。 - LED驱动：用于驱动汽车内外部LED灯，提供稳定的电流输出。 6. 家用电器 - 智能家居设备：如智能插座、温控器等，用于控制家电的开关状态。 - 白色家电：例如冰箱、洗衣机中的小功率控制模块。 技术优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：降低功率损耗，提高效率。 - 高击穿电压（Vds）：增强器件的耐压能力，适合多种电压环境。 - 快速开关速度：减少开关损耗，适用于高频应用。 总结来说，IRF7815TRPBF适用于需要高效功率转换、低功耗和快速响应的各种电子系统，尤其适合消费电子、工业自动化、汽车电子以及电池管理等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 1.647 nF |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 5.1A 8-SOICMOSFET MOSFT 150V 5A 44mOhm 25nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.1 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7815TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7815TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 25 nC |
| Qg-栅极电荷 | 25 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 43 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 34 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 3.2 ns |
| 下降时间 | 8.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1647pF @ 75V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 43 毫欧 @ 3.1A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7815TRPBFCT |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 8.2 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.1A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7815pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7815pbf.spi |
| 配置 | Single |
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