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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RW1C025ZPT2CR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RW1C025ZPT2CR价格参考。ROHM SemiconductorRW1C025ZPT2CR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RW1C025ZPT2CR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RW1C025ZPT2CR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RW1C025ZPT2CR 是罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的单个 FET/MOSFET 晶体管,具体为 P 沟道增强型 MOSFET。该型号具有低导通电阻、高开关速度和出色的性能稳定性,适用于多种电子应用领域。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: RW1C025ZPT2CR 常用于 DC-DC 转换器、负载开关和电压调节模块中,作为开关元件实现高效的电源管理。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗,提高系统效率。 2. 电池管理系统 (BMS): 在便携式设备、电动汽车和储能系统中,该 MOSFET 可用作电池保护电路中的开关或放电控制元件,确保电池安全运行并延长使用寿命。 3. 电机驱动与控制: 该器件适用于小型直流电机的驱动和控制,例如风扇、泵或家用电器中的电机控制。其快速开关能力和稳定性能够满足高性能电机驱动需求。 4. 负载切换与保护: 在通信设备、工业自动化和消费电子产品中,RW1C025ZPT2CR 可用于负载切换和过流保护,防止电路因异常电流而损坏。 5. 信号切换与隔离: 在需要高速信号切换的应用中,如数据通信接口或传感器信号处理,该 MOSFET 提供可靠的信号隔离和切换功能。 6. 汽车电子: 在汽车电子系统中,如车身控制模块 (BCM) 或照明控制系统,RW1C025ZPT2CR 可用于开关和控制各种负载,满足汽车级可靠性要求。 总结来说,RW1C025ZPT2CR 凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于消费电子、工业设备、通信系统以及汽车电子等领域,特别适合对效率和安全性有较高要求的场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平栅极,1.5V 驱动 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
数据手册 | 点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet |
产品图片 | |
产品型号 | RW1C025ZPT2CR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 65 毫欧 @ 2.5A, 4.5V |
供应商器件封装 | 6-WEMT (1.6x1.6) |
其它名称 | RW1C025ZPT2CRDKR |
功率-最大值 | 700mW |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Ta) |