Datasheet下载- 型号： SI7495DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7495DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7495DP-T1-GE3价格参考。VishaySI7495DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7495DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7495DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7495DP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热稳定性的特点，适用于以下主要应用场景： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、同步整流、负载开关等电路中，提升电源转换效率，降低功耗。 2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中，用于电池保护和电源切换，延长电池续航。 3. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为开关元件，实现对电机启停和转速的精确控制。 4. 负载开关与热插拔控制：用于服务器、通信设备中，控制电源的通断，防止过流与短路，提高系统稳定性。 5. 工业自动化：在工业控制系统中用于驱动继电器、传感器和执行器等负载，具有高可靠性和长寿命。 该 MOSFET 采用小型封装，适合高密度 PCB 设计，广泛应用于消费电子、通信、工业及汽车电子等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7495DP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 140nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5 毫欧 @ 21A，4.5V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Ta） |
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