Datasheet下载- 型号： FQPF6N90
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF6N90由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF6N90价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF6N90封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF6N90参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF6N90 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的FQPF6N90是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：FQPF6N90具有高耐压能力（900V），非常适合用于开关电源中的高压开关应用。它可以高效地控制电流流动，适用于离线式开关电源和DC-DC转换器。 2. 电机驱动：在工业自动化和家用电器中，FQPF6N90可用于驱动中小型电机。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。 3. 逆变器：该MOSFET适合用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和其他需要高频开关的应用。它能够快速切换状态，提供高效的能量转换。 4. 电磁阀控制：在汽车电子和工业控制系统中，FQPF6N90可用于控制电磁阀的开关操作，确保精确的电流控制和快速响应。 5. 负载开关：在需要大电流负载切换的场合，如LED照明和电池管理系统中，FQPF6N90可以作为可靠的负载开关元件。 6. 保护电路：利用其高耐压和快速开关特性，FQPF6N90可以用于过流保护、短路保护等电路设计中，提高系统的安全性和可靠性。 总之，FQPF6N90凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于各种高压、高频和高效能需求的电子设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 3.4A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF6N90 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1880pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.9 欧姆 @ 1.7A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 56W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.4A （Tc） |
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