ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 > BFP740FESDH6327XTSA1
Datasheet下载- 型号： BFP740FESDH6327XTSA1
- 制造商： Infineon
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BFP740FESDH6327XTSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BFP740FESDH6327XTSA1价格参考。InfineonBFP740FESDH6327XTSA1封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 射频， RF Transistor NPN 4.7V 45mA 47GHz 160mW Surface Mount 4-TSFP。您可以下载BFP740FESDH6327XTSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BFP740FESDH6327XTSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌）的BFP740FESDH6327XTSA1是一款高性能射频双极结型晶体管（BJT），主要用于高频、低噪声放大应用。该器件基于先进的SiGe:C（硅锗碳）技术制造，具有优异的增益、低噪声系数和高线性度，适用于工作频率高达数GHz的无线通信系统。 典型应用场景包括： - 无线基础设施：如蜂窝基站中的低噪声放大器（LNA），用于增强接收信号灵敏度； - 微波点对点通信：在高频段实现稳定、低失真的信号放大； - 卫星通信系统：因其高可靠性和良好温度稳定性，适合严苛环境下的射频前端设计； - 宽带无线接入系统：如5G固定无线接入（FWA）、WiMAX等； - 测试与测量设备：用于高精度射频仪器中的信号放大模块。 BFP740FESDH6327XTSA1采用小型化表面贴装封装（SG SOT363-6），节省PCB空间，适合高密度集成设计。其高增益（典型值约22dB @ 2GHz）和低噪声系数（约0.8dB @ 2GHz）使其在弱信号接收场景中表现优异。此外，该器件具有良好的一致性和可靠性，适合批量生产应用。 综上，BFP740FESDH6327XTSA1广泛应用于需要高性能射频放大的现代通信系统中，尤其适用于高频、低功耗、高灵敏度的射频前端设计。
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