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FDB8880产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB8880由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB8880价格参考。Fairchild SemiconductorFDB8880封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, N-Channel 30V 11A (Ta), 54A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-263AB。您可以下载FDB8880参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDB8880 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的FDB8880是一款高性能N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效率和高功率密度的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,因其低导通电阻(RDS(on))和快速开关特性,能有效降低能量损耗,提高电源转换效率。 2. 电机驱动:在电动工具、家用电器和工业控制中的电机驱动电路中,FDB8880可实现高效、稳定的电流控制,支持高频PWM调速。 3. 照明系统:用于LED驱动电源,特别是在高亮度LED照明或汽车照明中,具备良好的热稳定性和响应速度。 4. 消费电子:如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源模块,满足便携设备对小型化和低功耗的需求。 5. 汽车电子:应用于车载电源系统、车身控制模块(如车窗升降、座椅调节)等,符合AEC-Q101车规标准,具备高可靠性。 6. 电池管理系统(BMS):在锂电池保护板中作为充放电控制开关,提供过流和短路保护功能。 FDB8880凭借其优异的热性能、低栅极电荷和强健的封装设计,在高负载和高温环境下仍能稳定运行,适合多种中高功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 54A TO-263ABMOSFET NCH PWR TRNCH MOSFET 30V 54A 11.6 OHMS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 54 A |
| Id-连续漏极电流 | 54 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDB8880PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDB8880 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 55 W |
| Pd-功率耗散 | 55 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 11.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 107 ns |
| 下降时间 | 51 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1240pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 11.6 毫欧 @ 40A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 其它名称 | FDB8880CT |
| 典型关闭延迟时间 | 47 ns |
| 功率-最大值 | 55W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 1.312 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Ta), 54A (Tc) |
| 系列 | FDB8880 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FDB8880_NL |