Datasheet下载- 型号： STB120N4LF6
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB120N4LF6由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB120N4LF6价格参考￥12.29-￥12.29。STMicroelectronicsSTB120N4LF6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB120N4LF6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB120N4LF6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB120N4LF6是一款N沟道增强型功率MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于高效率、高电流的电源管理系统中。其主要应用场景包括： 1. 汽车电子系统：该器件符合AEC-Q101汽车级标准，适用于车载电源系统，如车灯控制、电机驱动（车窗、雨刷、风扇等）、DC-DC转换器和电池管理系统，具备良好的温度稳定性和可靠性。 2. 工业电源：由于其低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，常用于开关电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器中，提升能效并减少发热。 3. 电机驱动：在工业控制和家用电器中，用于驱动直流电机或步进电机，如电动工具、洗衣机、空调压缩机等，实现高效节能运行。 4. 能源管理与充电设备：适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源及充电桩中的功率开关模块，支持高效率能量转换。 5. 高密度电源设计：采用先进的STripFET™ VI技术，具有优异的热性能和电气性能，适合空间受限但要求高功率密度的应用场合。 综上，STB120N4LF6凭借其低损耗、高可靠性和出色的热管理能力，在汽车、工业和消费类高功率应用中表现卓越，是现代高效电源系统中的关键元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAKMOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STB120N4LF6DeepGATE™， STripFET™ VI |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STB120N4LF6 |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 80 nC |
| Qg-栅极电荷 | 80 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V to 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V to 2.5 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 毫欧 @ 40A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26067 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-11096-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF250141?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/stmicroelectronics-stripfet-vi-deepgate-mosfets/3393 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
| 系列 | STB120N4LF6 |
| 配置 | Single |
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