Datasheet下载- 型号： IXFH10N100P
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH10N100P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH10N100P价格参考。IXYSIXFH10N100P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFH10N100P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFH10N100P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXFH10N100P是一款单通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于高压功率MOSFET系列。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS）：IXFH10N100P的高电压耐受能力（1000V击穿电压）使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。 2. 电机控制：由于其低导通电阻和快速开关特性，这款MOSFET可以高效地用于电机驱动电路中，实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的电力逆变器中，IXFH10N100P可用于将直流电转换为交流电，适用于家用或工业用的光伏系统。 4. 脉宽调制（PWM）控制器：该器件的快速开关能力和良好的热稳定性使其成为PWM控制器的理想选择，广泛应用于LED驱动、风扇控制等领域。 5. 不间断电源（UPS）系统：IXFH10N100P可作为关键元件用于UPS系统的开关和保护电路中，确保在断电情况下提供稳定的备用电源。 6. 电子负载和保护电路：由于其高耐压特性和可靠性，这款MOSFET也可用于各种电子负载和过流保护电路中，以保护其他敏感电子设备。 总之，IXFH10N100P凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于需要高压、高效能和快速响应的各种电力电子应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247ADMOSFET 10 Amps 1000V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH10N100PPolar™ HiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFH10N100P |
| Pd-PowerDissipation | 380 W |
| Pd-功率耗散 | 380 W |
| Qg-GateCharge | 56 nC |
| Qg-栅极电荷 | 56 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.4 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.4 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 6.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 6.5 V |
| 上升时间 | 45 ns |
| 下降时间 | 75 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3030pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AD （IXFH） |
| 其它名称 | Q4374359 |
| 典型关闭延迟时间 | 47 ns |
| 功率-最大值 | 380W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | Polar, HiPerFET |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 4.2 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 系列 | IXFH10N100P |
| 通道模式 | Enhancement |
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