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Datasheet下载- 型号： FQA55N25
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FQA55N25产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQA55N25由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA55N25价格参考。Fairchild SemiconductorFQA55N25封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 250V 55A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN。您可以下载FQA55N25参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQA55N25 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQA55N25是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压（250V）和大电流承载能力（55A），适用于以下主要应用场景： 1. 电源管理：用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器等电路中，作为高效的开关元件，提高系统能效并减小体积。 2. 电机驱动：在直流电机、步进电机或无刷电机的驱动电路中，FQA55N25可作为功率开关，实现对电机转速与方向的精确控制。 3. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源（UPS）和逆变器中，实现直流电到交流电的高效转换，支持稳定电力输出。 4. 工业自动化设备：如PLC、伺服控制器等工业控制系统，用于负载开关或高频PWM调制控制。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、电动工具及辅助电机控制等高可靠性要求的汽车应用场合。 6. 照明系统：在LED照明或高强度放电灯（HID）镇流器中，作为高频开关元件使用。 综上，FQA55N25凭借其优异的性能，适用于多种中高功率开关和控制场景，尤其适合追求高效率与小型化设计的应用需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 55A TO-3PMOSFET 250V N-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 55 A |
| Id-连续漏极电流 | 55 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQA55N25QFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQA55N25 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 310 W |
| Pd-功率耗散 | 310 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 40 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 40 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 700 ns |
| 下降时间 | 250 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 27.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 典型关闭延迟时间 | 200 ns |
| 功率-最大值 | 310W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.401 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3PN-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 46 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 55A （Tc） |
| 系列 | FQA55N25 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQA55N25_NL |
