Datasheet下载- 型号： FQA27N25
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQA27N25由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA27N25价格参考。Fairchild SemiconductorFQA27N25封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQA27N25参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQA27N25 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQA27N25是ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） FQA27N25具有低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（250V），适合用于开关电源中的高频开关应用，例如DC-DC转换器、反激式变换器和正激式变换器等。 2. 电机驱动 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为功率开关控制电机的启动、停止和速度调节。 3. 负载切换 在需要高效负载切换的应用中，如汽车电子、工业控制或消费电子设备中，FQA27N25可以用作负载切换开关，以实现快速、低损耗的负载通断控制。 4. 逆变器 适用于小型逆变器电路，例如太阳能微逆变器或家用电器逆变器，用于将直流电转换为交流电。 5. 电池管理系统（BMS） 在电池保护和管理电路中，FQA27N25可以用作充电/放电路径的开关，确保电池的安全运行并防止过流或短路。 6. LED驱动 在高亮度LED照明系统中，该MOSFET可以用作电流控制开关，实现精确的电流调节和调光功能。 7. 汽车电子 FQA27N25符合AEC-Q101标准，适用于汽车环境下的各种应用，如电动车窗、雨刷控制系统、座椅调节以及车载娱乐系统的功率管理。 8. 继电器替代 在需要固态继电器功能的场景中，FQA27N25可以替代传统机械继电器，提供更快的开关速度和更长的使用寿命。 9. 信号放大与缓冲 利用其低导通电阻特性，FQA27N25还可以在某些信号放大或缓冲电路中充当功率输出级。 总之，FQA27N25凭借其高耐压、低导通电阻和良好的热性能，广泛应用于各种需要高效功率开关的领域，尤其是在中小功率范围内的工业、汽车和消费类电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 27A TO-3PMOSFET 250V N-Channel QFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 27 A |
| Id-连续漏极电流 | 27 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQA27N25QFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQA27N25 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 210 W |
| Pd-功率耗散 | 210 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 110 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 270 ns |
| 下降时间 | 120 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110 毫欧 @ 13.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 功率-最大值 | 210W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.401 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 110 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3P-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 25 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 250 V |
| 漏极连续电流 | 27 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 27A （Tc） |
| 系列 | FQA27N25 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQA27N25_NL |
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