Datasheet下载- 型号： STD7NM64N
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD7NM64N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD7NM64N价格参考。STMicroelectronicsSTD7NM64N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STD7NM64N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD7NM64N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD7NM64N是一款N沟道增强型MOSFET，属于高压功率MOSFET器件，广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景。其640V耐压和7A额定电流使其适合中高电压、中等功率的应用。 主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：常用于开关电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器中，适用于适配器、充电器、工业电源模块等，具备低导通电阻和快速开关特性，有助于提升能效。 2. 照明驱动：在LED照明驱动电路中作为主控开关使用，尤其适用于高亮度LED路灯、工业照明等对效率和可靠性要求较高的场合。 3. 电机控制：可用于小型电机驱动，如家用电器中的风扇、水泵等设备的功率控制，实现节能与精准调速。 4. 逆变器与UPS：在不间断电源（UPS）和小型逆变器中作为核心开关元件，支持能量转换与稳定输出。 5. 工业控制与自动化：适用于工业PLC、继电器驱动、电磁阀控制等功率切换应用，具备良好的热稳定性和耐用性。 该器件采用TO-220或类似封装，散热性能良好，适合在较宽温度范围内工作，符合工业级标准。凭借STMicroelectronics在功率半导体领域的技术优势，STD7NM64N在可靠性、抗雪崩能力和EMI性能方面表现优异，是多种中高压功率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 640V 5A DPAKMOSFET N-Ch 640V 5A 0.88Ohm typ. Mdmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5 A |
| Id-连续漏极电流 | 5 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD7NM64NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD7NM64N |
| Pd-PowerDissipation | 60 W |
| Pd-功率耗散 | 60 W |
| Qg-GateCharge | 14 nC |
| Qg-栅极电荷 | 14 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.05 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.05 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 640 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 640 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 10 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 363pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.05 Ohm @ 2.5A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 497-14533-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 26 ns |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 640V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Tc） |
| 系列 | STD7NM64N |
| 配置 | Single |
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