Datasheet下载- 型号： SI3433CDV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3433CDV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3433CDV-T1-GE3价格参考。VishaySI3433CDV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3433CDV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3433CDV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3433CDV-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于功率 MOSFET 器件，广泛用于各种电子设备中进行电能控制和信号切换。该器件具有低导通电阻、高效率、快速开关速度等特点，适合在高频和高效能要求的应用中使用。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、同步整流电路等，用于提高能源转换效率。 2. 负载开关：作为电子开关控制马达、灯泡、风扇等负载的通断。 3. 电池供电设备：常见于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中，用于延长电池续航时间。 4. 工业控制系统：用于自动化设备中的电机驱动、继电器替代以及各类功率控制模块。 5. 通信设备：如网络交换机、路由器等，用于电源管理和热插拔保护。 6. 汽车电子：如车载充电器、车身控制模块等对可靠性和效率有较高要求的场景。 SI3433CDV-T1-GE3 采用小型封装（如TSOP），适合空间受限的设计，同时具备良好的热性能和耐用性，适用于大批量生产和广泛应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 1.3 nF |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOPMOSFET 20V 6.0A 3.3W 38mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?68803 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3433CDV-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3433CDV-T1-GE3SI3433CDV-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.6 W |
| Pd-功率耗散 | 1.6 W |
| Qg-栅极电荷 | 30 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 38 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 38 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 22 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 8V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 38 毫欧 @ 5.2A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3433CDV-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 3.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3433CDV-GE3 |
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