Datasheet下载- 型号： NTGD4169FT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTGD4169FT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTGD4169FT1G价格参考。ON SemiconductorNTGD4169FT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTGD4169FT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTGD4169FT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTGD4169FT1G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款单N沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：适用于DC-DC转换器、同步整流器等，用于高效能电源转换。 2. 负载开关：用于控制电源对负载的供给，如在电池供电设备中实现电源隔离。 3. 电机驱动：在小型电机控制电路中作为开关元件，控制电机的启停与方向。 4. LED照明：用于LED驱动电路中的开关控制，实现调光或节能功能。 5. 工业控制：在PLC、传感器模块等工业设备中用于信号切换或功率控制。 6. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑等设备的内部电源管理模块。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合中低功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTGD4169FT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 295pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 2.6A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.6A （Ta） |
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