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  • 型号: NDD03N80ZT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NDD03N80ZT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDD03N80ZT4G价格参考。ON SemiconductorNDD03N80ZT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NDD03N80ZT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NDD03N80ZT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NDD03N80ZT4G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款高压MOSFET,属于N沟道增强型功率晶体管。该器件额定电压为800V,连续漏极电流可达3A,适用于高电压、中等功率的开关应用。

其主要应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS):广泛用于工业电源、适配器和充电器中,作为主开关管工作在高频条件下,具备良好的开关性能和较低导通损耗,有助于提高电源效率。

2. LED照明驱动:适用于高亮度LED路灯、工业照明等恒流驱动电路,能够稳定工作在高压输入环境下,支持PFC(功率因数校正)拓扑结构。

3. 光伏逆变器:在太阳能发电系统中的DC-AC转换电路中用作功率开关,具备高耐压特性,适应光伏阵列的高直流电压输出。

4. 电机驱动与工业控制:用于小型电机控制、电磁阀驱动等工业应用,可在高温和高噪声环境中可靠运行。

5. 高压电源模块:如激光电源、医疗设备电源等需要高绝缘和稳定性的场合,该MOSFET凭借高击穿电压和优良的热稳定性表现优异。

NDD03N80ZT4G采用TO-252(D-Pak)封装,便于散热和安装,适合自动化生产。其内部设计优化了雪崩能量耐受能力和抗di/dt能力,增强了系统鲁棒性。综合来看,这款MOSFET特别适用于需要高电压隔离、高效率和高可靠性的电力电子系统。
产品参数 图文手册 常见问题
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