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Datasheet下载- 型号： IRLR2705PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR2705PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR2705PBF价格参考。International RectifierIRLR2705PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLR2705PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR2705PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRLR2705PBF的MOSFET，属于N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和低导通电阻的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路中，适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源系统。 2. 电机控制：由于具备较低的导通电阻（Rds(on)）和良好的热性能，该器件适合用于直流电机驱动和电动工具中的功率开关。 3. 电池供电设备：在便携式电子产品如移动电源、电池管理系统（BMS）中作为高效的功率开关使用，有助于延长电池寿命。 4. 汽车电子：可用于车载电源系统、车身控制模块（如车窗、门锁控制）及LED照明驱动电路，满足汽车环境对可靠性和效率的要求。 5. 工业自动化：适用于PLC（可编程逻辑控制器）、工业传感器和执行器的电源控制部分。 该MOSFET采用先进的沟槽技术，具有高电流能力和良好的热稳定性，封装形式为PowerPAK SO-8，节省空间且易于散热，适合高频开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 28A DPAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 16.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 28 A |
| Id-连续漏极电流 | 28 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR2705PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR2705PBF |
| Pd-PowerDissipation | 46 W |
| Pd-功率耗散 | 46 W |
| Qg-GateCharge | 16.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 16.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 上升时间 | 100 ns |
| 下降时间 | 29 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 880pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 17A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 68W |
| 功率耗散 | 46 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 65 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 16.7 nC |
| 标准包装 | 75 |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 28 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 28A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irlr2705.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irlr2705.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 16 V |
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