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产品简介:
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HUFA75645P3 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,主要用于高效能功率转换和电源管理领域。其应用场景主要包括: 1. DC-DC转换器:适用于高频率开关电源中的升压(Boost)或降压(Buck)电路,广泛用于工业电源、通信设备电源模块等。 2. 同步整流:在开关电源或变压器次级端作为整流器件使用,提升转换效率,降低损耗。 3. 负载开关与电源管理:用于控制电源通断,如笔记本电脑、服务器或嵌入式系统中的电源管理单元。 4. 电机驱动与功率控制:适用于小功率电机控制、电动工具或风扇驱动电路中,实现高效能与快速开关。 5. 电池供电设备:如便携式电子产品、电池管理系统(BMS),因其低导通电阻与高效率,有助于延长电池续航。 该器件采用先进的Trench沟槽技术,具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压(60V)、高电流承载能力(连续漏极电流可达160A)及优良的热性能,适合高效率、高密度电源设计。封装形式为D2PAK,便于散热和安装,适用于表面贴装工艺。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 75A TO-220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | HUFA75645P3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3790pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 238nC @ 20V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14 毫欧 @ 75A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 310W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 400 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |