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STW18NM60N产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STW18NM60N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW18NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTW18NM60N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 13A(Tc) 110W(Tc) TO-247-3。您可以下载STW18NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW18NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STW18NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET,具有18A电流容量和600V耐压,适用于多种高电压、中功率应用场景。其主要应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等,用于高效能、高频开关操作。 2. 电机驱动:用于工业自动化设备、电动工具、家用电器中的电机控制电路,提供快速开关和低导通损耗。 3. 照明系统:包括LED驱动器、电子镇流器等高亮度照明控制,支持高效率和稳定输出。 4. 逆变器与变频器:应用于太阳能逆变器、UPS不间断电源、小型变频器中,实现直流到交流的高效转换。 5. 消费类电子产品:如电视、音响、电源管理模块等,用于高效能电源管理和负载开关。 6. 工业控制:在工业自动化系统中用于负载开关、继电器替代、电能管理模块等。 该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力和良好的热稳定性,适合高频、高效能开关应用,广泛用于需要高可靠性和紧凑设计的电子产品中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STW18NM60N |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | MDmesh™ II |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 285 毫欧 @ 6.5A,10V |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
其它名称 | 497-10997-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF243780?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 110W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-2 |
标准包装 | 30 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 13A (Tc) |