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  • 型号: STW18NM60N
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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STW18NM60N产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STW18NM60N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW18NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTW18NM60N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 13A(Tc) 110W(Tc) TO-247-3。您可以下载STW18NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW18NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics的STW18NM60N是一款N沟道增强型功率MOSFET,具有18A电流容量和600V耐压,适用于多种高电压、中功率应用场景。其主要应用场景包括:

1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等,用于高效能、高频开关操作。

2. 电机驱动:用于工业自动化设备、电动工具、家用电器中的电机控制电路,提供快速开关和低导通损耗。

3. 照明系统:包括LED驱动器、电子镇流器等高亮度照明控制,支持高效率和稳定输出。

4. 逆变器与变频器:应用于太阳能逆变器、UPS不间断电源、小型变频器中,实现直流到交流的高效转换。

5. 消费类电子产品:如电视、音响、电源管理模块等,用于高效能电源管理和负载开关。

6. 工业控制:在工业自动化系统中用于负载开关、继电器替代、电能管理模块等。

该MOSFET具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压能力和良好的热稳定性,适合高频、高效能开关应用,广泛用于需要高可靠性和紧凑设计的电子产品中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 13A TO-247

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

STMicroelectronics

数据手册

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产品图片

产品型号

STW18NM60N

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

MDmesh™ II

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1000pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

35nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

285 毫欧 @ 6.5A,10V

供应商器件封装

TO-247-3

其它名称

497-10997-5
STW18NM60N-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF243780?referrer=70071840

功率-最大值

110W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-2

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13A (Tc)

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