Datasheet下载- 型号： FDB7030L_L86Z
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDB7030L_L86Z由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDB7030L_L86Z价格参考。Fairchild SemiconductorFDB7030L_L86Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDB7030L_L86Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDB7030L_L86Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDB7030L_L86Z是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道功率MOSFET，属于FET/MOSFET-单系列。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和优良的热性能，适用于高密度、高效率的电源管理系统。 其典型应用场景包括： 1. 同步整流：广泛用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器中，作为同步整流管以提高转换效率，尤其在笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块中表现优异。 2. 负载开关：可用于控制电源路径的通断，适用于便携式设备如智能手机、平板电脑中的电池管理与外设供电控制。 3. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件，常见于家电、电动工具和工业控制设备。 4. 热插拔电路：因其快速响应和过流保护能力，适合用于支持热插拔的背板或接口电源控制。 5. LED驱动：在大功率LED照明系统中用于PWM调光控制，提供高效稳定的电流切换。 FDB7030L_L86Z采用先进的封装技术（如PowerTSSOP或类似小型化封装），具备良好的散热性能和空间利用率，适合对体积和能效要求较高的应用。其额定电压为30V，持续漏极电流可达较高水平（具体值需参考数据手册），兼顾性能与可靠性，是中低电压功率开关应用的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDB7030L_L86Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2440pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 毫欧 @ 40A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 功率-最大值 | 68W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Ta） |
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